Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | Dtmosiv |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 600 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 4.5a (TA) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
Rds on (max) @ id, vgs | 990MOHM @ 2,3A, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 4,5 Е @ 230 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 11,5 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 30 v |
Взёр. | 370 pf @ 300 |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 60 yt (tc) |
Rraboч -yemperatura | 150 ° С |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Dpak |
PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 2000 |
N-kanal 600-4,5A (ta) 60-й (TC) poverхnoStnoe