Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | - |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 800 В |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 5а (таблица) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
Rds on (max) @ id, vgs | 2,4OM @ 2,5A, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 4 w @ 500 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 20 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 30 v |
Взёр. | 950 pf @ 25 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 40 yt (tc) |
Rraboч -yemperatura | 150 ° С |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | DO-220SIS |
PakeT / KORPUES | 220-3- |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 50 |
N-kanal 800-5A (TA) 40-st (tc) чereSereSeRSTIEED-220SIS