Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60D,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60D,RQ

СИЛОВОЙ МОП-транзистор ПБ-Ф ДП(

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60D,RQ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: ТК4П60Д,РК
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9200

Дополнительная цена:$0,9200

Подробности

Теги

Параметры
Стандартный пакет 2000 г.
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,7 Ом при 2 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,4 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 НК @ 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 600 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 100 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ДПАК
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
N-канальный 600 В 4A (Ta) 100 Вт (Tc) для поверхностного монтажа DPAK