| Параметры |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 264-ТК40ДЖ20ДС1Ф(О |
| Стандартный пакет | 100 |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | π-МОСVIII |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 200 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 40А (Та) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 44 мОм при 20 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3,5 В при 1 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 100 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 4300 пФ при 100 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 260 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | 150°С |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-3П(Н) |
| Пакет/ключи | ТО-3П-3, СК-65-3 |
| Базовый номер продукта | ТК40J20 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
Н-канал 200 В 40 А (Та) 260 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-3П(Н)