Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z,LXHQ - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z,LXHQ

МОП-транзистор Н-Ч 100 В 33 А ДПАК

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z,LXHQ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9599
  • Артикул: ТК33С10Н1З,LXHQ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,4200

Дополнительная цена:$1,4200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСVIII-H
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 33А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 9,7 мОм при 16,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 500 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 28 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2050 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 125 Вт (Тс)
Рабочая температура 175°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ДПАК+
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Базовый номер продукта ТК33С10
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2000 г.
N-канальный 100 В 33 А (Ta) 125 Вт (Tc) для поверхностного монтажа DPAK+