| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | U-MOSX-H |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 80 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 100А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 6В, 10В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 2,44 мОм при 50 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3,5 В @ 2,2 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 179 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 13000 пФ при 40 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 47 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | 175°С |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-220СИС |
| Пакет/ключи | ТО-220-3 Полный пакет |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 50 |
N-канал 80 В 100 А (Tc) 47 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220SIS