Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4A08QM,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4A08QM,S4X

УМОС10 ТО-220СИС 80 В 2,4 МОм

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4A08QM,S4X
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 46
  • Артикул: ТК2Р4А08КМ,С4С
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2,8700

Дополнительная цена:$2,8700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд U-MOSX-H
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,44 мОм при 50 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В @ 2,2 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 179 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 13000 пФ при 40 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 47 Вт (Тс)
Рабочая температура 175°С
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220СИС
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
N-канал 80 В 100 А (Tc) 47 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220SIS