Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | U-MOSVIII-H |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 60 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 25a (TA) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 36,8mohm @ 12,5a, 4,5 |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 -пр. 100 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 15 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 855 PF @ 10 V |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 57W (TC) |
Raboч -yemperatura | 175 ° С |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | DPAK+ |
PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
Baзowый nomer prodikta | TK25S06 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 2000 |
N-kanal 60 v 25а (Ta) 57w (tc) poverхnostnoe