Toshiba Semiconductor and Storage TK210V65Z, LQ

MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $3.2100

Эkst цena:$3.2100

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	Dtmosvi
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	650
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	15a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	210mohm @ 7,5a, 10
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 610 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	25 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	1370 pf @ 300
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	130 Вт (TC)
Raboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	4-DFN-EP (8x8)
PakeT / KORPUES	4-vsfn oftkrыtaiNavaIn-o
Baзowый nomer prodikta	TK210V65
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	2500

N-kanal 650-15а (TA) 130-й (TC) PoverхnosTnoe kreplepleneene 4-dfn-ep (8x8)