Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4F04PB,LXGQ — Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4F04PB,LXGQ

МОП-транзистор Н-Ч 40 В 160 А ТО220СМ

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4F04PB,LXGQ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 885
  • Артикул: ТК1Р4Ф04ПБ,LXGQ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.7300

Дополнительная цена:$2.7300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-MOSIX-H
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 160А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,9 мОм при 80 А, 6 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 500 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 103 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5500 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 205 Вт (Тс)
Рабочая температура 175°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-220СМ(Вт)
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Базовый номер продукта ТК1Р4Ф04
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1000
N-канал 40 В 160 А (Ta) 205 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа TO-220SM(W)