Toshiba Semiconductor and Storage TK190U65Z, RQ

Dtmos vi toll pd = 130w f = 1 mmgц

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage TK190U65Z, RQ
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 2
Sku: TK190U65Z, RQ
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $2.9200

Эkst цena:$2.9200

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	Dtmosvi
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	650
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	15a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	190mohm @ 7,5a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 610 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	25 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	1370 pf @ 300
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	130 Вт (TC)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	Потери
PakeT / KORPUES	8-Powersfn
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	2000

N-kanol 650-15а (TA) 130 yt (tc)