Toshiba Semiconductor and Storage TK190A65Z, S4X

Mosfet n-ch 650v 15a do 220sis

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $3.0000

Эkst цena:$3.0000

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	Dtmosvi
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	650
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	15a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	190mohm @ 7,5a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 610 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	25 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	1370 pf @ 300
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	40 yt (tc)
Raboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	DO-220SIS
PakeT / KORPUES	220-3-
Baзowый nomer prodikta	TK190A65
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	50

N-kanal 650-15 (TA) 40-st (tc) чereз sturstie do-220sis