Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W5,RVQ - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W5,RVQ

СИЛОВОЙ МОП-транзистор ПБ-Ф ДПА

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W5,RVQ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: ТК16Г60В5,РВК
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.2100

Дополнительная цена:$3.2100

Подробности

Теги

Параметры
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 15,8 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 230 мОм при 7,9 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,5 В при 790 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 43 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1350 пФ при 300 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 130 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Д2ПАК
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1000
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд ДТМОСИВ
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
N-канальный 600 В 15,8 А (Ta) 130 Вт (Tc) для поверхностного монтажа D2PAK