Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TK13P25D,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TK13P25D,RQ

СИЛОВОЙ МОП-транзистор ПБ-Ф ДПА

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK13P25D,RQ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: ТК13П25Д,РК
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9000

Дополнительная цена:$0,9000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 250 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 13А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 250 мОм при 6,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1100 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 96 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ДПАК
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2000 г.
N-канальный 250 В 13 А (Ta) 96 Вт (Tc) для поверхностного монтажа DPAK