Toshiba Semiconductor and Storage TK13P25D, RQ

PB-F Power Mosfet Transistor DPA

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage TK13P25D, RQ
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 1
Sku: TK13P25D, RQ
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,9000

Эkst цena:$0,9000

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	250
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	13a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	250mohm @ 6,5a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	3,5 - @ 1MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	25 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1100 pf @ 100 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	96W (TC)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	Dpak
PakeT / KORPUES	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	2000

N-kanol 250-13а (Ta) 96w (tc) poverхnosstnoe