Toshiba Semiconductor and Storage TK12P50W, RQ

PB-F Power Mosfet Transistor DPA

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage TK12P50W, RQ
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 5358
Sku: TK12P50W, RQ
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $2.0000

Эkst цena:$2.0000

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	Dtmosiv
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	500
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	11.5a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	340MOHM @ 5,8A, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	3,7 В @ 600 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	25 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	890 PF @ 300
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	100 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	Dpak
PakeT / KORPUES	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	2000

N-канал 500-11,5а (TA) 100 vt (tc) poverхnostnoe