Toshiba Semiconductor and Storage TK110U65Z,RQ

DTMOS VI TOLL PD=190 Вт F=1 МГц

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK110U65Z,RQ
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3
Артикул: ТК110У65З,РК
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4.5300

Дополнительная цена:$4.5300

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	ДТМОСВИ
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	24А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	110 мОм при 12 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4 В при 1,02 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	40 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	2250 пФ при 300 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	190 Вт (Тс)
Рабочая температура	150°С
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	ПОТЕРИ
Пакет/ключи	8-PowerSFN
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	2000 г.

N-канал 650 В 24 А (Ta) 190 Вт (Tc) для поверхностного монтажа TOLL