Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TK110N65Z, S1F - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TK110N65Z,S1F

МОЩНЫЙ МОП-транзистор ТО-247(О

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK110N65Z,S1F
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2814
  • Артикул: ТК110Н65З,С1Ф
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $5.8800

Дополнительная цена:$5.8800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд ДТМОСВИ
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 24А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 110 мОм при 12 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 1,02 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 40 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2250 пФ при 300 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 190 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247
Пакет/ключи ТО-247-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 30
Н-канал 650 В 24 А (Та) 190 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247