Toshiba Semiconductor and Storage TK110E65Z,S1X

650 В ДТМОС ВИ ТО-220 110 МОм

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK110E65Z,S1X
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 129
Артикул: ТК110Е65З,С1С
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4.3100

Дополнительная цена:$4.3100

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	24А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	110 мОм при 12 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4 В при 1,02 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	40 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	2250 пФ при 300 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	190 Вт (Тс)
Рабочая температура	150°С
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-220
Пакет/ключи	ТО-220-3
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	50

Н-канал 650 В 24 А (Та) 190 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220