Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | - |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 650 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 24а (тат) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
Rds on (max) @ id, vgs | 110mohm @ 12a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 4 w @ 1,02 мая |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 40 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 30 v |
Взёр. | 2250 pf @ 300 |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 190 Вт (ТС) |
Rraboч -yemperatura | 150 ° С |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | ДО-220 |
PakeT / KORPUES | 220-3 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 50 |
N-kanal 650-24a (ta) 190-й (Tc) чereз чerehererstiee 220