Toshiba Semiconductor and Storage TK10E80W, S1X

PB-F Power Mosfet Transistor to-

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage TK10E80W, S1X
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 50
Sku: TK10E80W, S1X
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $3.6500

Эkst цena:$3.6500

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	Dtmosiv
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	800 В
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	9.5a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	550mhom @ 4,8a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 450 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	19 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1150 pf @ 300
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	130 Вт (TC)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	ДО-220
PakeT / KORPUES	220-3
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	50

N-kanal 800-9,5A (TA) 130 st (tc) чereз otwerstie-до-220