| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | У-МОСVIII-H |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 100А (Та) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 4,5 В, 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 2,3 мОм при 50 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,5 В @ 500 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 76 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 5490 пФ при 10 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 180 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | 175°С |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | ДПАК+ |
| Пакет/ключи | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 |
| Базовый номер продукта | ТК100С04 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 2000 г. |
N-канальный 40 В 100 А (Ta) 180 Вт (Tc) для поверхностного монтажа DPAK+