Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R,LXHF

АВТО AEC-Q SS MOS DUAL N-CH LOW

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R,LXHF
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1
Артикул: SSM6N813R,LXHF
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,7700

Дополнительная цена:$0,7700

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора	Ворота логического уровня, привод 4,5 В
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	3,5 А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	112 мОм при 3,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В @ 100 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	3,6 нк @ 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	242пФ при 15В
Мощность - Макс.	1,5 Вт (Та)
Рабочая температура	175°С
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	6-SMD, плоские выводы
Поставщик пакета оборудования	6-ЦОП-Ф
Базовый номер продукта	ССМ6Н813
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	3000

Массив МОП-транзисторов 100 В, 3,5 А (Та) 1,5 Вт (Та), для поверхностного монтажа 6-ЦОП-Ф