Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K819R, LF

N-CH MOSFET, 100-В, 10 A, 0,0258

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K819R, LF
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 4
Sku: SSM6K819R, LF
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,6600

Эkst цena:$0,6600

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	Автомобиль, AEC-Q101
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	10А (таблица)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	25,8mohm @ 4a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -пр. 100 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	8,5 NC @ 4,5
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1110 pf @ 15 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,5 yt (tat)
Rraboч -yemperatura	175 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	6-tsop-f
PakeT / KORPUES	6-SMD, Плоскильлид
Baзowый nomer prodikta	SSM6K819
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	3000

N-kanol 100-n 10A (tat) 1,5 sta (tat)