Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R,LF

МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор N-CH VDSS=10

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R,LF
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5
  • Артикул: ССМ6К810Р,ЛФ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,6300

Дополнительная цена:$0,6300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСVIII-H
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3,5 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 69 мОм при 2 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 100 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3,2 нк @ 4,5 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 430 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,5 Вт (Та)
Рабочая температура 175°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 6-ЦОП-Ф
Пакет/ключи 6-SMD, плоские выводы
Базовый номер продукта ССМ6К810
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Н-канал 100 В 3,5 А (Та) 1,5 Вт (Та) для поверхностного монтажа 6-ТСОП-Ф