Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | U-MOSVIII-H |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 60 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 6a (TA) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4 В, 10 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 36mohm @ 5a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 -пр. 100 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 9,3 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 550 pf @ 10 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 1,5 yt (tat) |
Rraboч -yemperatura | 175 ° С |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 6-tsop-f |
PakeT / KORPUES | 6-SMD, Плоскильлид |
Baзowый nomer prodikta | SSM6K809 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 3000 |
N-kanal 60 v 6a (ta) 1,5 yt (ta)