Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | Автомобиль, AEC-Q101 |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 40 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 12a (TA) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 12mohm @ 4a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 2,4 - @ 100 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 7,5 NC @ 4,5 |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 1110 pf @ 20 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 1,5 yt (tat) |
Rraboч -yemperatura | 175 ° С |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 6-tsop-f |
PakeT / KORPUES | 6-SMD, Плоскильлид |
Baзowый nomer prodikta | SSM6K804 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 3000 |
N-kanal 40- 12A (TA) 1,5 sta (ta) poverхnosstnoe krepleneene 6-tsop-f