| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 6А (Та) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 1,5 В, 4,5 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 33 мОм при 4 А, 4,5 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1 В при 1 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 3,6 нк при 4,5 В |
| ВГС (Макс) | ±8 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 410 пФ при 10 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1,25 Вт (Та) |
| Рабочая температура | 150°С |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | 6-УДФНБ (2х2) |
| Пакет/ключи | 6-WDFN Открытая площадка |
| Базовый номер продукта | ССМ6К518 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 3000 |
Н-канальный 20 В 6А (Та) 1,25 Вт (Та) для поверхностного монтажа 6-УДФНБ (2х2)