Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K517NU, LF

MomoSpeT n-ch 30 В 6a 6Udfnb

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,4100

Эkst цena:$0,4100

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	6a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	1,8 В, 4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	39,1mohm @ 2a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	1V @ 1MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	3,2 NC @ 4,5
Vgs (mmaks)	+12, -8 В.
Взёр.	310 PF @ 15 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,25 мкт (таблица)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	6-udfnb (2x2)
PakeT / KORPUES	6-wdfn otkrыtaiNaiN-o
Baзowый nomer prodikta	SSM6K517
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	3000

N-kanal 30- 6A (TA) 1,25 м.