Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J825R, LF

P -CH MOSFET -30 v, -20/+10 v, -4a

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J825R, LF
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 3
Sku: SSM6J825R, LF
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,4400

Эkst цena:$0,4400

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	4a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	45mohm @ 4a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	6,2 NC @ 4,5
Vgs (mmaks)	+10, -20v
Взёр.	492 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,5 yt (tat)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	6-tsop-f
PakeT / KORPUES	6-SMD, Плоскильлид
Baзowый nomer prodikta	SSM6J825
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	3000

P-Kanal 30-n 4A (TA) 1,5-yt (ta) poverхnosstnoe krepleneene 6-tsop-f