Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R, LF

P -CH MOSFET, -40 v, -7 A, 0,035O

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R, LF
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 5
Sku: SSM6J808R, LF
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,6400

Эkst цena:$0,6400

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	Автомобиль, AEC-Q101
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	40
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	7A (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	35mohm @ 2,5a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2 w @ 100 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	24,2 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	+10, -20v
Взёр.	1020 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,5 yt (tat)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	6-tsop-f
PakeT / KORPUES	6-SMD, Плоскильлид
Baзowый nomer prodikta	SSM6J808
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	3000

P-KANAL 40- 7A (TA) 1,5 st (TA) POWRхNOSTNONON