Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KFU, LXH

SMOS Low Ron NCH IO: 0,4A VDSS:

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KFU, LXH
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 5
Sku: SSM3K7002KFU, LXH
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,4000

Эkst цena:$0,4000

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	Автомобиль, AEC-Q101
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	400 май (таблица)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	1,5 ОМА @ 100MA, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2.1 h @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	0,6 NC @ 4,5
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	40 pf @ 10 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	150 м. (ТАК)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	USM
PakeT / KORPUES	SC-70, SOT-323
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.21.0095
Станодар	3000

N-kanal 60 n 400 май (ta) 150 мкст (tA)