Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K62TU, LXHF

SMOS Low Ron NCH VDSS: 20V ID: 0,8

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K62TU, LXHF
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 1
Sku: SSM3K62TU, LXHF
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,4000

Эkst цena:$0,4000

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	Автор, AEC-Q101, U-MOSVII-H
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	800 май (таблица)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	1,2 В, 4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	57mohm @ 800ma, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	1V @ 1MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	2 NC @ 4,5
Vgs (mmaks)	± 8 v
Взёр.	177 pf @ 10 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	500 мг (таблица)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	UFM
PakeT / KORPUES	3-SMD, Плоскин С.С.
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.21.0095
Станодадж	3000

N-kanal 20 n 800 май (tAt) 500 мкт (tA)