Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R,LXHF — Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R,LXHF

SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R,LXHF
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5
  • Артикул: SSM3K376R,LXHF
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4000

Дополнительная цена:$0,4000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 56 мОм при 2 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2,2 нк @ 4,5 В
ВГС (Макс) +12 В, -8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 200 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1 Вт (Та)
Рабочая температура 150°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-23Ф
Пакет/ключи SOT-23-3 Плоские выводы
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Н-канальный 30 В 4А (Та) 1 Вт (Та) для поверхностного монтажа SOT-23F