Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FV, L3F

Pb-f vesm s-mos (lf)

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FV, L3F
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 1
Sku: SSM3K16FV, L3F
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,2200

Эkst цena:$0,2200

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	100 май (таблица)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	1,5 В, 4 В
Rds on (max) @ id, vgs	3OM @ 10MA, 4V
Vgs (th) (max) @ id	1,1 - @ 100 мк
Vgs (mmaks)	± 10 В.
Взёр.	9,3 PF @ 3 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	150 м. (ТАК)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	Вер
PakeT / KORPUES	SOT-723
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.21.0095
Станодар	8000

N-kanal 20- 100 май (та) 150 мг (та)