| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 3,2 А (Та) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 1,5 В, 4 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 48 мОм при 2 А, 4 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1 В @ 1 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 5,9 нк при 4 В |
| ВГС (Макс) | ±10 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 400 пФ при 10 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500 мВт (Та) |
| Рабочая температура | 150°С |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | УФМ |
| Пакет/ключи | 3-SMD, плоские выводы |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Другие имена | 264-ССМ3К121ТУ |
| Стандартный пакет | 1 |
Н-канальный 20 В 3,2 А (Ta) 500 мВт (Ta) для поверхностного монтажа UFM