Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | Автор, AEC-Q101, U-MOSVI |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | П-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 2а (тат) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 1,5 В, 4,5 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 150mohm @ 1a, 4,5 |
Vgs (th) (max) @ id | 1V @ 1MA |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 4,6 NC @ 4,5 |
Vgs (mmaks) | +6, -8 В. |
Взёр. | 270 pf @ 10 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 600 мг (таблица) |
Rraboч -yemperatura | 150 ° С |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | S-Mini |
PakeT / KORPUES | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 3000 |
P-KANAL 20- 2A (TA) 600 мт (TA) POWRхNOSTNOE