Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J374R, LXHF

SMOS P -CH VDSS: -30V VGSS: -20/+10

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J374R, LXHF
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 4305
Sku: SSM3J374R, LXHF
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,4000

Эkst цena:$0,4000

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	Автор, AEC-Q101, U-MOSVI
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	4a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	71mohm @ 3a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	2 w @ 100 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	5,9 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	+10, -20v
Взёр.	280 pf @ 15 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1 yt (tta)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23F
PakeT / KORPUES	SOT-23-3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	3000

P-Kanal 30- 4A (TA) 1W (TA) PORHERхNOSTNOE