Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R,LXHF — Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R,LXHF

МОП-транзистор AECQ PCH-60V-2A SOT23F

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R,LXHF
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6526
  • Артикул: SSM3J356R,LXHF
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4900

Дополнительная цена:$0,4900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, У-МОСВИ
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 300 мОм при 1 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В при 1 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 8,3 НК при 10 В
ВГС (Макс) +10 В, -20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 330 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1 Вт (Та)
Рабочая температура 150°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-23Ф
Пакет/ключи SOT-23-3 Плоские выводы
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 264-SSM3J356R,LXHFCT
Стандартный пакет 3000
П-канал 60 В 2А (Та) 1 Вт (Та) для поверхностного монтажа SOT-23F