Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | Автор, AEC-Q101, U-MOSVI |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | П-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 60 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 3.5a (TA) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4 В, 10 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 134mohm @ 1a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 2V @ 1MA |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 15,1 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | +10, -20v |
Взёр. | 660 pf @ 10 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 1 yt (tta) |
Rraboч -yemperatura | 150 ° С |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT-23F |
PakeT / KORPUES | SOT-23-3 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 3000 |
P-KANAL 60-3,5A (TA) 1W (TA) POURхNOSTNOE