Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J143TU, LXHF

SMOS P -CH VDSS: -20V VGSS: -8/+6V

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,4600

Эkst цena:$0,4600

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	Автор, AEC-Q101, U-MOSVI
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	5.5a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	1,5 В, 4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	29,8mohm @ 3a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	1V @ 1MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	12,8 NC @ 4,5
Vgs (mmaks)	+6, -8 В.
Взёр.	840 pf @ 10 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	500 мг (таблица)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	UFM
PakeT / KORPUES	3-SMD, Ploskie provodky
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.21.0095
Станодадж	3000

P-KANAL 20-5,5A (TA) 500 мг (та)