Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Это | 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) |
Current - Collector (IC) (MMAKS) | 100 май |
Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 50 |
Rerзystor - baзa (r1) | 4,7 КОМ |
Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) | 4,7 КОМ |
DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 30 @ 10ma, 5 В |
Vce saturation (max) @ ib, ic | 300 м. |
Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 500NA |
ASTOTA - PRERESHOD | 250 мг, 200 мг |
Синла - МАКС | 200 м |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 6-tssop, SC-88, SOT-363 |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | US6 |
Baзowый nomer prodikta | RN4981 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.21.0075 |
Станодар | 3000 |
Предварительно смеченный биполярный транзистор (BJT) 1 NPN, 1 PNP-предварительно смещенное (двойное) 50 В 100 мА 250 МГц, 200 МГц 200 МВт Повзрослеть