Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV,L3F(CT
RN2106MFV,L3F(CT
- Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
- Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV,L3F(CT
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 33
- Артикул: RN2106MFV,L3F(CT
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | ПНП — предварительный смещенный |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 В |
| Резистор — база (R1) | 4,7 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 47 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 80 при 10 мА, 5 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500нА |
| Частота – переход | 250 МГц |
| Мощность - Макс. | 150 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СОТ-723 |
| Поставщик пакета оборудования | ВЕСМ |
| Базовый номер продукта | РН2106 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0075 |
| Стандартный пакет | 8000 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP — с предварительным смещением 50 В, 100 мА, 250 МГц, 150 мВт, для поверхностного монтажа VESM
