Toshiba Semiconductor and Storage RN1306, LXHF
Auto AEC-Q Single NPN, R1 = 4,7KO
- Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
- NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage RN1306, LXHF
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 3
- Sku: RN1306, LXHF
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 500NA |
| ASTOTA - PRERESHOD | 200 мг |
| Синла - МАКС | 100 м |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | SC-70, SOT-323 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | SC-70 |
| Baзowый nomer prodikta | RN1306 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0095 |
| Станодар | 3000 |
| Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
| В припании | Автомобиль, AEC-Q101 |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Это | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 100 май |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 50 |
| Rerзystor - baзa (r1) | 4.7 Kohms |
| Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) | 47 Kohms |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 80 @ 10ma, 5в |
| Vce saturation (max) @ ib, ic | 300 м. |
Предварительно смеченный биполярный транзистор (BJT) NPN-предварительно смещенная 50 В 100 мА 200 МГц 100 МВт поверхностное Креплхейн SC-70
