Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | Автомобиль, AEC-Q101 |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Это | 2 npn (дВОХАНЕй) |
Current - Collector (IC) (MMAKS) | 150 май |
Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 50 |
Vce saturation (max) @ ib, ic | 250 мВ @ 10ma, 100 мая |
Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 100NA (ICBO) |
DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 200 @ 2MA, 6V |
Синла - МАКС | 100 м |
ASTOTA - PRERESHOD | 80 мг |
Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | SOT-563, SOT-666 |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | ES6 |
Baзowый nomer prodikta | HN1C01 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.21.0095 |
Станодар | 4000 |
БИПОЛАНКА (bjt) mamAtrIцtranзystora 2 npn (dvoйnoй) 50 v 150 ма.