Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-GR, LXHF
Auto AEC -Q PNP + NPN TR VCEO: -50
- Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
- NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-GR, LXHF
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 6
- Sku: HN1B04FU-GR, LXHF
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
| В припании | Автомобиль, AEC-Q101 |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Это | NPN, Pnp |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 150 май |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 50 |
| Vce saturation (max) @ ib, ic | 250 мВ @ 10ma, 100ma / 300MV @ 10ma, 100ma |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 100NA (ICBO) |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 200 @ 2MA, 6V |
| Синла - МАКС | 200 м |
| ASTOTA - PRERESHOD | 150 мг, 120 мгр |
| Rraboч -yemperatura | - |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 6-tssop, SC-88, SOT-363 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | US6 |
| Baзowый nomer prodikta | HN1B04 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0075 |
| Станодар | 3000 |
БИПОЛАННА (BJT) Транзисторный массив NPN, PNP 50 В 150 мам 150 мг, 120 мг.
