| Параметры |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип БТИЗ | - |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 1350 В |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 40 А |
| Ток-коллекторный импульсный (Icm) | 80 А |
| Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 5,9 В при 15 В, 40 А |
| Мощность - Макс. | 375 Вт |
| Переключение энергии | - |
| Тип входа | Стандартный |
| Td (вкл/выкл) при 25°C | - |
| Условия испытаний | - |
| Рабочая температура | 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-3П-3, СК-65-3 |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-3П(Н) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 100 |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
IGBT 1350 В, 40 А, 375 Вт, сквозное отверстие ТО-3П(Н)