Toshiba Semiconductor and Storage GT40WR21, Q
Дискертнгтнситер Igbt o 3pn (
- Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
- NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage GT40WR21, Q
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 9581
- Sku: GT40WR21, Q.
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | - |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 1350 a. |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 40 А. |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 80 а |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 5,9 В @ 15 В, 40a |
| Синла - МАКС | 375 Вт |
| Переклхейн | - |
| ТИПВ | Станода |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | - |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | - |
| Rraboч -yemperatura | 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | To-3p (n) |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 100 |
| Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
IGBT 1350 V 40 A 375 sthereз oTwerSTIER 3P (n)
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F