Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage GT40QR21(STA1,E,D — Toshiba Semiconductor and Storage IGBT — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage GT40QR21(STA1,E,D

ДИСКРЕТНЫЙ БИЗ ТРАНСИСТОР К-3ПН(

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage GT40QR21(STA1,E,D
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 18
  • Артикул: GT40QR21(STA1,E,D
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3,6200

Дополнительная цена:$3,6200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ -
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 40 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 80 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,7 В @ 15 В, 40 А
Мощность - Макс. 230 Вт
Переключение энергии -, 290 мкДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Td (вкл/выкл) при 25°C -
Условия испытаний 280В, 40А, 10Ом, 20В
Время обратного восстановления (trr) 600 нс
Рабочая температура 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-3П-3, СК-65-3
Поставщик пакета оборудования ТО-3П(Н)
Базовый номер продукта GT40QR21
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 264-GT40QR21(STA1ED
Стандартный пакет 25
IGBT 1200 В 40 А 230 Вт сквозное отверстие ТО-3П(Н)