Toshiba Semiconductor and Storage GT40QR21 (STA1, E, D

Дискертнгтнситер Igbt o 3pn (

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage GT40QR21 (STA1, E, D
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 18
Sku: GT40QR21 (STA1, E, D.
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $3.6200

Эkst цena:$3.6200

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ИГБТ	-
Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	1200
Current - Collector (IC) (MMAKS)	40 А.
Ток - Коллексионер ипюльх (ICM)	80 а
Vce (on) (max) @ vge, ic	2,7 В @ 15 В, 40a
Синла - МАКС	230 Вт
Переклхейн	-290 мкж (vыklючen)
ТИПВ	Станода
TD (ON/OFF) @ 25 ° C	-
ИСЛОВЕЕ ИСПАН	280V, 40A, 10OM, 20 В
ВОЗНАЯ ВОЗНА	600 млн
Rraboч -yemperatura	175 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
PakeT / KORPUES	TO-3P-3, SC-65-3
ПАКЕТИВАЕТСЯ	To-3p (n)
Baзowый nomer prodikta	GT40QR21
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	264-GT40QR21 (Sta1ed
Станодар	25

IGBT 1200 V 40 A 230 sthereз oTwerSTIEE 3P (n)