Toshiba Semiconductor and Storage GT15J341, S4X
PB-F Discrete IGBT Transistor
- Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
- NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage GT15J341, S4X
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 50
- Sku: GT15J341, S4X
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | - |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 600 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 15 а |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 60 а |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2V @ 15V, 15a |
| Синла - МАКС | 30 st |
| Переклхейн | 300 мкд (wklючen), 300 мкб (vыklючen) |
| ТИПВ | Станода |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | 60NS/170NS |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 300 В, 15А, 33 ОМ, 15 |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 80 млн |
| Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 220-3- |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | DO-220SIS |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 50 |
IGBT 600 В 15 A 30 streз otwerstiee 220sis
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F