Toshiba Semiconductor and Storage GT15J341,S4X

PB-F ДИСКРЕТНЫЙ IGBT ТРАНСИСТОР НА

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage GT15J341,S4X
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 50
Артикул: ГТ15ДЖ341,С4С
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,8100

Дополнительная цена:$1,8100

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	-
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	15 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	60 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2В @ 15В, 15А
Мощность - Макс.	30 Вт
Переключение энергии	300 мкДж (вкл.), 300 мкДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Td (вкл/выкл) при 25°C	60 нс/170 нс
Условия испытаний	300 В, 15 А, 33 Ом, 15 В
Время обратного восстановления (trr)	80 нс
Рабочая температура	150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-220-3 Полный пакет
Поставщик пакета оборудования	ТО-220СИС
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	50

IGBT 600 В 15 А 30 Вт сквозное отверстие TO-220SIS