Парметр | |
---|---|
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | Аэбр |
Упако | Симка |
Степень Продукта | Актифен |
Оснофейп | Степень |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | - |
MATERIAL | - |
Деликат | 0,157 "(4,00 мм) |
Коеффихиэнт индуктифносоты (Ал) | 12 мкм |
Терпимость | - |
З | Raskrыta |
Зakanshivath | Покра |
Вес | 0,236 "(6,00 мм) |
Делина | - |
Шyrina | - |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8504.90.9630 |
Дрогин ИНЕНА | 264-AB4X2X6W |
Станодар | 4000 |