Toshiba Semiconductor и хранилище 2SK3798(STA4,Q,M)

МОЩНЫЙ МОП-транзистор ТО-220(С

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor и хранилище 2SK3798(STA4,Q,M)
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3811
Артикул: 2SK3798(СТА4,К,М)
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.4000

Дополнительная цена:$1.4000

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	900 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	4А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	3,5 Ом при 2 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	26 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	800 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	40 Вт (Тс)
Рабочая температура	150°С
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-220СИС
Пакет/ключи	ТО-220-3 Полный пакет
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	50

N-канал 900 В 4А (Та) 40 Вт (Тс) сквозное отверстие TO-220SIS