Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2061 (TE85L, F)
PB-F Power Transistor TSM MOQ = 30
- Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
- NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2061 (TE85L, F)
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 3
- Sku: 2SA2061 (TE85L, F)
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Это | Pnp |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 2,5 а |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 20 |
| Vce saturation (max) @ ib, ic | 190MV @ 53MA, 1.6A |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 100NA (ICBO) |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 200 @ 500 май, 2 В |
| Синла - МАКС | 625 м |
| ASTOTA - PRERESHOD | - |
| Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | TSM |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 264-2SA2061 (TE85L, F) DKR |
| Станодар | 3000 |
БИПОЛАН (BJT) Трангистор PNP 20- 2,5 A 625 м.