Микрочиповая технология APTC60AM45B1G

APTC60AM45B1G

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология APTC60AM45B1G
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 8941
Артикул: APTC60AM45B1G
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $88.3600

Дополнительная цена:$88.3600

Подробности

Параметры
Стандартный пакет	1
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	CoolMOS™
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	3 N канал (фазовый участок + повышающий прерыватель)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	600В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	49А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	45 мОм при 24,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3,9 В при 3 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	150 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	7200пФ при 25В
Мощность - Макс.	250 Вт
Рабочая температура	-40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	СП1
Поставщик пакета оборудования	СП1
Базовый номер продукта	APTC60
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095

Массив МОП-транзисторов 600 В, 49 А, 250 Вт, крепление на шасси SP1